ON Semiconductor - NVMD6N04R2G

KEY Part #: K6522279

NVMD6N04R2G Preços (USD) [186683pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.19813
  • 2,500 pcs$0.18010

Número da peça:
NVMD6N04R2G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMD6N04R2G Atributos do produto

Número da peça : NVMD6N04R2G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 32V
Potência - Max : 1.29W
Temperatura de operação : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC

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