ON Semiconductor - FQAF16N50

KEY Part #: K6394081

FQAF16N50 Preços (USD) [21399pcs Estoque]

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  • 500 pcs$1.05181
  • 1,000 pcs$0.88707

Número da peça:
FQAF16N50
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQAF16N50 Atributos do produto

Número da peça : FQAF16N50
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 5.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 110W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3PF
Pacote / caso : TO-3P-3 Full Pack

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