ON Semiconductor - NTF2955T1G

KEY Part #: K6402010

NTF2955T1G Preços (USD) [235119pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.15731
  • 1,000 pcs$0.15272

Número da peça:
NTF2955T1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTF2955T1G Atributos do produto

Número da peça : NTF2955T1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 185 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14.3nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 492pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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