RSJ650N10TL Preços (USD) [30363pcs Estoque]
- 1 pcs$1.50056
- 1,000 pcs$1.49309
- Número da peça:
- RSJ650N10TL
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 65A LPTS.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RSJ650N10TL electronic components. RSJ650N10TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSJ650N10TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RSJ650N10TL Atributos do produto
Número da peça :
RSJ650N10TL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
65A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.1 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
10780pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
LPTS
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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