Vishay Semiconductor Diodes Division - NSB8KT-E3/81

KEY Part #: K6437416

NSB8KT-E3/81 Preços (USD) [143207pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.25828
  • 800 pcs$0.24191

Número da peça:
NSB8KT-E3/81
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSB8KT-E3/81 Atributos do produto

Número da peça : NSB8KT-E3/81
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 8A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 800V
Capacitância @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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