Diodes Incorporated - DMG1016VQ-7

KEY Part #: K6522276

DMG1016VQ-7 Preços (USD) [490925pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.07534
  • 3,000 pcs$0.06743

Número da peça:
DMG1016VQ-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG1016VQ-7 Atributos do produto

Número da peça : DMG1016VQ-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 870mA, 640mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.74nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 60.67pF @ 16V
Potência - Max : 530mW
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOT-563, SOT-666
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-563

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