Vishay Semiconductor Diodes Division - VSSB410S-M3/52T

KEY Part #: K6446858

VSSB410S-M3/52T Preços (USD) [506068pcs Estoque]

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  • 37,500 pcs$0.04263

Número da peça:
VSSB410S-M3/52T
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 4A,100V,TRENCH SKY RECT.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VSSB410S-M3/52T electronic components. VSSB410S-M3/52T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VSSB410S-M3/52T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VSSB410S-M3/52T Atributos do produto

Número da peça : VSSB410S-M3/52T
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
Series : TMBS®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 1.9A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 770mV @ 4A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 250µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : 230pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AA, SMB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C

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