Rohm Semiconductor - RGTH00TS65DGC11

KEY Part #: K6421770

RGTH00TS65DGC11 Preços (USD) [18373pcs Estoque]

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Número da peça:
RGTH00TS65DGC11
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 650V 85A 277W TO-247N.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGTH00TS65DGC11 Atributos do produto

Número da peça : RGTH00TS65DGC11
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 85A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 200A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
Potência - Max : 277W
Energia de comutação : -
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 94nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 39ns/143ns
Condição de teste : 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 54ns
Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247N