[9599pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRG8P50N120KD-EPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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IRG8P50N120KD-EPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRG8P50N120KD-EPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo IGBT :
-
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
80A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
105A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 35A
Potência - Max :
350W
Energia de comutação :
2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
315nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
35ns/190ns
Condição de teste :
600V, 35A, 5 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
170ns
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AD
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