BYG10M-E3/TR Preços (USD) [739474pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05002
- 1,800 pcs$0.04701
- 3,600 pcs$0.04231
- 5,400 pcs$0.03996
- 12,600 pcs$0.03643
- 45,000 pcs$0.03408
- Número da peça:
- BYG10M-E3/TR
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10M-E3/TR electronic components. BYG10M-E3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10M-E3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG10M-E3/TR Atributos do produto
Número da peça :
BYG10M-E3/TR
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Avalanche
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
1000V
Atual - Média Retificada (Io) :
1.5A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.15V @ 1.5A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
4µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
1µA @ 1000V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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