Nexperia USA Inc. - PMCXB1000UEZ

KEY Part #: K6525465

PMCXB1000UEZ Preços (USD) [460809pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.08027
  • 5,000 pcs$0.06939

Número da peça:
PMCXB1000UEZ
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMCXB1000UEZ Atributos do produto

Número da peça : PMCXB1000UEZ
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N and P-Channel Complementary
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 590mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Potência - Max : 285mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 6-XFDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN1010B-6

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