Infineon Technologies - IGC50T120T8RQX1SA1

KEY Part #: K6421802

IGC50T120T8RQX1SA1 Preços (USD) [8666pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.75515

Número da peça:
IGC50T120T8RQX1SA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 50A DIE.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IGC50T120T8RQX1SA1 Atributos do produto

Número da peça : IGC50T120T8RQX1SA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT 1200V 50A DIE
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : -
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 150A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.42V @ 15V, 50A
Potência - Max : -
Energia de comutação : -
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : -
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : -
Condição de teste : -
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die