[4191pcs Estoque]
- Número da peça:
- SIA923EDJ-T4-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V SC-70-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIA923EDJ-T4-GE3 electronic components. SIA923EDJ-T4-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA923EDJ-T4-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIA923EDJ-T4-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIA923EDJ-T4-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 20V SC-70-6
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Preliminary
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
54 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
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