HGTG5N120BND Preços (USD) [32929pcs Estoque]
- 1 pcs$1.35295
- 10 pcs$1.21413
- 100 pcs$0.92592
- 500 pcs$0.76073
- 1,000 pcs$0.63032
- Número da peça:
- HGTG5N120BND
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 21A 167W TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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HGTG5N120BND Atributos do produto
Número da peça :
HGTG5N120BND
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
IGBT 1200V 21A 167W TO247
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
21A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
40A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 5A
Potência - Max :
167W
Energia de comutação :
450µJ (on), 390µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
53nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
22ns/160ns
Condição de teste :
960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
65ns
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
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