Microsemi Corporation - APTGTQ200DA65T3G

KEY Part #: K6533066

APTGTQ200DA65T3G Preços (USD) [1877pcs Estoque]

  • 1 pcs$23.06400

Número da peça:
APTGTQ200DA65T3G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
POWER MODULE - IGBT.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGTQ200DA65T3G Atributos do produto

Número da peça : APTGTQ200DA65T3G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : POWER MODULE - IGBT
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : -
Configuração : Boost Chopper
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 200A
Potência - Max : 483W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 200A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 200µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 12nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP3F