ON Semiconductor - FQP55N10

KEY Part #: K6398049

FQP55N10 Preços (USD) [36674pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.71495
  • 10 pcs$0.63468
  • 100 pcs$0.50151
  • 500 pcs$0.38894
  • 1,000 pcs$0.29046

Número da peça:
FQP55N10
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP55N10 Atributos do produto

Número da peça : FQP55N10
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 55A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2730pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 155W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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