SCT2H12NYTB Preços (USD) [25402pcs Estoque]
- 1 pcs$1.79360
- 400 pcs$1.78468
- Número da peça:
- SCT2H12NYTB
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB electronic components. SCT2H12NYTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCT2H12NYTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCT2H12NYTB Atributos do produto
Número da peça :
SCT2H12NYTB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 410µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 18V
Vgs (máx.) :
+22V, -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
184pF @ 800V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
44W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-268
Pacote / caso :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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