Nexperia USA Inc. - PSMN010-80YLX

KEY Part #: K6420656

PSMN010-80YLX Preços (USD) [225727pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.16685
  • 1,500 pcs$0.16602

Número da peça:
PSMN010-80YLX
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 80V LFPAK56.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN010-80YLX Atributos do produto

Número da peça : PSMN010-80YLX
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 80V LFPAK56
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 84A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 44.2nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6506pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 194W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : LFPAK56, Power-SO8
Pacote / caso : SC-100, SOT-669

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