ON Semiconductor - HGTG12N60C3D

KEY Part #: K6422411

HGTG12N60C3D Preços (USD) [13978pcs Estoque]

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  • 500 pcs$1.84715
  • 1,000 pcs$1.55783

Número da peça:
HGTG12N60C3D
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 600V 24A 104W TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTG12N60C3D Atributos do produto

Número da peça : HGTG12N60C3D
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 600V 24A 104W TO247
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : -
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 24A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 96A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 15A
Potência - Max : 104W
Energia de comutação : 380µJ (on), 900µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 48nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : -
Condição de teste : -
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 42ns
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247