Vishay Siliconix - SIA929DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6525425

SIA929DJ-T1-GE3 Preços (USD) [340585pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.10860
  • 3,000 pcs$0.10219

Número da peça:
SIA929DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SIA929DJ-T1-GE3 electronic components. SIA929DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA929DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA929DJ-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SIA929DJ-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 64 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 575pF @ 15V
Potência - Max : 7.8W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SC-70-6 Dual