SFS1008GHMNG Preços (USD) [264034pcs Estoque]
- 1 pcs$0.14009
- Número da peça:
- SFS1008GHMNG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
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SFS1008GHMNG Atributos do produto
Número da peça :
SFS1008GHMNG
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
10A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 5A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
1µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F :
50pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB (D²PAK)
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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