Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8S2TH06I-M

KEY Part #: K6444889

[2296pcs Estoque]


    Número da peça:
    VS-8S2TH06I-M
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição detalhada:
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Zener - Single ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8S2TH06I-M electronic components. VS-8S2TH06I-M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8S2TH06I-M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-8S2TH06I-M Atributos do produto

    Número da peça : VS-8S2TH06I-M
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
    Series : FRED Pt®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de Diodo : Standard
    Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
    Atual - Média Retificada (Io) : 8A
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 3.1V @ 8A
    Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 16ns
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 50µA @ 600V
    Capacitância @ Vr, F : -
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote / caso : TO-220-2
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-2
    Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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