Vishay Semiconductor Diodes Division - GPP100MS-E3/54

KEY Part #: K6444953

[2273pcs Estoque]


    Número da peça:
    GPP100MS-E3/54
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição detalhada:
    DIODE GEN PURP 1KV 10A P600.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GPP100MS-E3/54 electronic components. GPP100MS-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GPP100MS-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GPP100MS-E3/54 Atributos do produto

    Número da peça : GPP100MS-E3/54
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição : DIODE GEN PURP 1KV 10A P600
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de Diodo : Standard
    Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V
    Atual - Média Retificada (Io) : 10A
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.05V @ 10A
    Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 5.5µs
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 1000V
    Capacitância @ Vr, F : 110pF @ 4V, 1MHz
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote / caso : P600, Axial
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : P600
    Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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