Infineon Technologies - IPW60R125CFD7XKSA1

KEY Part #: K6398219

IPW60R125CFD7XKSA1 Preços (USD) [17128pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.40622

Número da peça:
IPW60R125CFD7XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
HIGH POWERNEW.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R125CFD7XKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPW60R125CFD7XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : HIGH POWERNEW
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 390µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1503pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 92W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO247-3
Pacote / caso : TO-247-3

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