Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5407G B0G

KEY Part #: K6429373

1N5407G B0G Preços (USD) [1159739pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.03189

Número da peça:
1N5407G B0G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5407G B0G Atributos do produto

Número da peça : 1N5407G B0G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1V @ 3A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 800V
Capacitância @ Vr, F : 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : DO-201AD, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-201AD
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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