Rohm Semiconductor - RF081LAM2STR

KEY Part #: K6458417

RF081LAM2STR Preços (USD) [1309823pcs Estoque]

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  • 30,000 pcs$0.02330
  • 75,000 pcs$0.02066

Número da peça:
RF081LAM2STR
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM. Rectifiers 200V Vr 1A Io Fast Recovery Diode
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RF081LAM2STR Atributos do produto

Número da peça : RF081LAM2STR
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 1.1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 980mV @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 25ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOD-128
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PMDTM
Temperatura de funcionamento - junção : 150°C (Max)

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