Vishay Siliconix - SUM50010E-GE3

KEY Part #: K6396122

SUM50010E-GE3 Preços (USD) [22977pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.79365

Número da peça:
SUM50010E-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHAN 60-V D2PAK TO-263.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SUM50010E-GE3 electronic components. SUM50010E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUM50010E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUM50010E-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SUM50010E-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CHAN 60-V D2PAK TO-263
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 150A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.75 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 212nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 10895pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 375W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (D²Pak)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Você também pode estar interessado em