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  5. JANTXV1N6625US

Microsemi Corporation - JANTXV1N6625US

KEY Part #: K6448504

JANTXV1N6625US Preços (USD) [4051pcs Estoque]

  • 1 pcs$10.69324
Número da peça:
JANTXV1N6625US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6625US electronic components. JANTXV1N6625US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6625US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6625US Atributos do produto

Número da peça : JANTXV1N6625US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
Series : Military, MIL-PRF-19500/585
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1100V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.75V @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 60ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 1100V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, A
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-5A
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C

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