SISS32DN-T1-GE3 Preços (USD) [152066pcs Estoque]
- 1 pcs$0.24323
- Número da peça:
- SISS32DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SISS32DN-T1-GE3 electronic components. SISS32DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS32DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SISS32DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SISS32DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212
Series :
TrenchFET® Gen IV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
17.4A (Ta), 63A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1930pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8S
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8S
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