APTC90H12T1G Preços (USD) [4042pcs Estoque]
- 100 pcs$32.07046
- Número da peça:
- APTC90H12T1G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APTC90H12T1G electronic components. APTC90H12T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC90H12T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTC90H12T1G Atributos do produto
Número da peça :
APTC90H12T1G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET :
Super Junction
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
270nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6800pF @ 100V
Potência - Max :
250W
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
SP1
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP1
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