Infineon Technologies - F475R12KS4BOSA1

KEY Part #: K6534462

F475R12KS4BOSA1 Preços (USD) [798pcs Estoque]

  • 1 pcs$58.19527

Número da peça:
F475R12KS4BOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT MODULE VCES 600V 75A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F475R12KS4BOSA1 Atributos do produto

Número da peça : F475R12KS4BOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT MODULE VCES 600V 75A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : -
Configuração : Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100A
Potência - Max : 500W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 3.75V @ 15V, 75A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 5.1nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : -40°C ~ 125°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module

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