Infineon Technologies - BSM50GD60DLCBOSA1

KEY Part #: K6534502

BSM50GD60DLCBOSA1 Preços (USD) [925pcs Estoque]

  • 1 pcs$50.15306

Número da peça:
BSM50GD60DLCBOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM50GD60DLCBOSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSM50GD60DLCBOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : -
Configuração : Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 70A
Potência - Max : 250W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 50A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 500µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 2.2nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : -40°C ~ 125°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module