FQP13N10L Preços (USD) [72496pcs Estoque]
- 1 pcs$0.44319
- 10 pcs$0.38883
- 100 pcs$0.28369
- 500 pcs$0.21013
- 1,000 pcs$0.16810
- Número da peça:
- FQP13N10L
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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FQP13N10L Atributos do produto
Número da peça :
FQP13N10L
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
520pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
65W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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