1N5406GHB0G Preços (USD) [1146094pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03227
- Número da peça:
- 1N5406GHB0G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
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1N5406GHB0G Atributos do produto
Número da peça :
1N5406GHB0G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1V @ 3A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F :
25pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
DO-201AD, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-201AD
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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