1SS307(TE85L,F) Preços (USD) [914187pcs Estoque]
- 1 pcs$0.04046
- Número da peça:
- 1SS307(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 30V 3 pins, S-Mini 0.1A
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307(TE85L,F) electronic components. 1SS307(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1SS307(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1SS307(TE85L,F) Atributos do produto
Número da peça :
1SS307(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
30V
Atual - Média Retificada (Io) :
100mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 100mA
Rapidez :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 30V
Capacitância @ Vr, F :
6pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
S-Mini
Temperatura de funcionamento - junção :
125°C (Max)
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