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  5. 1N5802US

Microsemi Corporation - 1N5802US

KEY Part #: K6440029

1N5802US Preços (USD) [8333pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.53078
  • 10 pcs$4.97683
  • 25 pcs$4.53427
  • 100 pcs$4.09199
  • 250 pcs$3.76019
  • 500 pcs$3.42841
Número da peça:
1N5802US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 50V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5802US electronic components. 1N5802US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5802US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5802US Atributos do produto

Número da peça : 1N5802US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 50V 1A D5A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 50V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 25ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 50V
Capacitância @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, A
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-5A
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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