IRF7351PBF Preços (USD) [3924pcs Estoque]
- 1 pcs$0.75676
- 10 pcs$0.67063
- 100 pcs$0.53003
- 500 pcs$0.41105
- 1,000 pcs$0.30697
- Número da peça:
- IRF7351PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7351PBF electronic components. IRF7351PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7351PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7351PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF7351PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.8 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1330pF @ 30V
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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