IRFHS8242TRPBF Preços (USD) [487572pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07586
- 4,000 pcs$0.07283
- Número da peça:
- IRFHS8242TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFHS8242TRPBF electronic components. IRFHS8242TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHS8242TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFHS8242TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFHS8242TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9.9A (Ta), 21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
653pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-PQFN (2x2)
Pacote / caso :
6-PowerVDFN
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