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  5. GC08MPS12-252

GeneSiC Semiconductor - GC08MPS12-252

KEY Part #: K6433100

GC08MPS12-252 Preços (USD) [19779pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.08368
Número da peça:
GC08MPS12-252
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
SIC DIODE 1200V 8A TO-252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 8A TO-252-2
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252 electronic components. GC08MPS12-252 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GC08MPS12-252, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GC08MPS12-252 Atributos do produto

Número da peça : GC08MPS12-252
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : SIC DIODE 1200V 8A TO-252-2
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 40A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 8A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 7µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : 545pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252-2
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
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