GeneSiC Semiconductor - GA10SICP12-263

KEY Part #: K6394031

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Número da peça : GA10SICP12-263

Fabricante : GeneSiC Semiconductor

Descrição : TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : -

Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (máx.) : -

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1403pF @ 800V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 170W (Tc)

Temperatura de operação : 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK (7-Lead)

Pacote / caso : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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