FDMD8900 Preços (USD) [96560pcs Estoque]
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- 3,000 pcs$0.40494
- Número da peça:
- FDMD8900
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V POWER.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDMD8900 electronic components. FDMD8900 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMD8900, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMD8900 Atributos do produto
Número da peça :
FDMD8900
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V POWER
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
19A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2605pF @ 15V
Potência - Max :
2.1W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
12-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
12-Power3.3x5
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