Microsemi Corporation - JANTXV1N6629US

KEY Part #: K6447637

JANTXV1N6629US Preços (USD) [3501pcs Estoque]

  • 1 pcs$13.67618
  • 100 pcs$13.60814

Número da peça:
JANTXV1N6629US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B. Rectifiers Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6629US electronic components. JANTXV1N6629US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6629US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6629US Atributos do produto

Número da peça : JANTXV1N6629US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Atual - Média Retificada (Io) : 1.4A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.4A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 60ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 2µA @ 800V
Capacitância @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, E
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-5B
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C

Você também pode estar interessado em
  • RURD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

  • RURD660S9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

  • 1PS193,115

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 1PS193,135

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • VS-8EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

  • EGL34GHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.