VMO550-01F Preços (USD) [570pcs Estoque]
- 1 pcs$85.86105
- 2 pcs$85.43388
- Número da peça:
- VMO550-01F
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS VMO550-01F electronic components. VMO550-01F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VMO550-01F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VMO550-01F Atributos do produto
Número da peça :
VMO550-01F
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
590A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6V @ 110mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2000nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
50000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2200W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Y3-DCB
Pacote / caso :
Y3-DCB
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