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  5. 1N8030-GA

GeneSiC Semiconductor - 1N8030-GA

KEY Part #: K6428136

1N8030-GA Preços (USD) [488pcs Estoque]

  • 1 pcs$89.56064
  • 10 pcs$85.23848
  • 25 pcs$82.15037
Número da peça:
1N8030-GA
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N8030-GA electronic components. 1N8030-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N8030-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N8030-GA Atributos do produto

Número da peça : 1N8030-GA
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 650V
Atual - Média Retificada (Io) : 750mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.39V @ 750mA
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F : 76pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-257-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-257
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 250°C
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