[9435pcs Estoque]
- Número da peça:
- GT60N321(Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
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GT60N321(Q) Atributos do produto
Número da peça :
GT60N321(Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo IGBT :
-
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1000V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
60A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
120A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.8V @ 15V, 60A
Potência - Max :
170W
Energia de comutação :
-
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
-
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
330ns/700ns
Condição de teste :
-
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
2.5µs
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-3PL
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P(LH)
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