STMicroelectronics - STD4NK50Z-1

KEY Part #: K6415502

STD4NK50Z-1 Preços (USD) [12388pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.61043
  • 10 pcs$0.53893
  • 100 pcs$0.42592
  • 500 pcs$0.31245
  • 1,000 pcs$0.24667

Número da peça:
STD4NK50Z-1
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD4NK50Z-1 Atributos do produto

Número da peça : STD4NK50Z-1
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Series : SuperMESH™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 310pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 45W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I-PAK
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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