Vishay Semiconductor Diodes Division - UGB10GCT-E3/81

KEY Part #: K6479247

UGB10GCT-E3/81 Preços (USD) [104439pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.37439
  • 800 pcs$0.33171

Número da peça:
UGB10GCT-E3/81
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE ARRAY GP 400V 5A TO263AB. Rectifiers 10A 400V 35ns Dual
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB10GCT-E3/81 electronic components. UGB10GCT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB10GCT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGB10GCT-E3/81 Atributos do produto

Número da peça : UGB10GCT-E3/81
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE ARRAY GP 400V 5A TO263AB
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 400V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 5A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 5A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 400V
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB

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