Taiwan Semiconductor Corporation - TSM850N06CX RFG

KEY Part #: K6417373

TSM850N06CX RFG Preços (USD) [891189pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04150

Número da peça:
TSM850N06CX RFG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM850N06CX RFG Atributos do produto

Número da peça : TSM850N06CX RFG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 529pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.7W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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