Taiwan Semiconductor Corporation - TSM6502CR RLG

KEY Part #: K6522910

TSM6502CR RLG Preços (USD) [348634pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.10609

Número da peça:
TSM6502CR RLG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM6502CR RLG Atributos do produto

Número da peça : TSM6502CR RLG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Potência - Max : 40W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PDFN (5x6)

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