ON Semiconductor - FDMA410NZT

KEY Part #: K6393691

FDMA410NZT Preços (USD) [329776pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.11272
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Número da peça:
FDMA410NZT
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-ULMP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMA410NZT Atributos do produto

Número da peça : FDMA410NZT
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-ULMP
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1310pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.4W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-MicroFET (2x2)
Pacote / caso : 6-UDFN Exposed Pad

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